参数资料
型号: IXDD509D1T/R
厂商: IXYS
文件页数: 6/14页
文件大小: 0K
描述: IC GATE DRIVER 9A 6-DFN
产品变化通告: Discontinuation Notice 15/Jun/2010
标准包装: 1
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 18ns
电流 - 峰: 9A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 30 V
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-VFDFN
供应商设备封装: 6-DFN
包装: 标准包装
其它名称: IXDD509D1DKR
IXDD509 / IXDE509
Figure 4 - Timing Diagrams
Non-Inverting (IXDD509) Timing Diagram
5V
90%
INPUT 2.5V
10%
0V
PW MIN
t ONDLY
t R
t OFFDLY
t F
Vcc
90%
OUTPUT
10%
0V
Inverting (IXDE509) Timing Diagram
5V
90%
INPUT 2.5V
10%
0V
PW MIN
t ONDLY
t F
t OFFDLY
t R
VCC
90%
OUTPUT
10%
0V
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PDF描述
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参数描述
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IXDD509SIA 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDD509SIAT/R 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDD514D1 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 35V 1 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDD514D1T/R 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube