- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17164 > IXDD604PI (IXYS Integrated Circuits Division)IC GATE DVR 4A DUAL ENABLE 8DIP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXDD604PI |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DVR 4A DUAL ENABLE 8DIP |
| 产品目录绘图： | IXDD604PI SCHEMATIC |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 29ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | CLA331 |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.5 Electrical Characteristics: T A = 25°C
Test Conditions: 4.5V < V CC < 35V, one channel (unless otherwise noted).
IXD_604
Parameter
Input Voltage, High
Input Voltage, Low
Input Current
High EN Input Voltage
Low EN Input Voltage
Output Voltage, High
Output Voltage, Low
Output Resistance, High State
Output Resistance, Low State
Output Current, Continuous
Rise Time
Fall Time
On-Time Propagation Delay
Off-Time Propagation Delay
Enable to Output-High Delay Time
Disable to High Impedance State Delay Time
Enable Pull-Up Resistor
Power Supply Current
Conditions
4.5V < V CC < 18V
4.5V < V CC < 18V
0V < V IN < V CC
IXDD604 only
IXDD604 only
-
-
V CC =18V, I OUT =-10mA
V CC =18V, I OUT =10mA
Limited by package power
dissipation
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
IXDD604 only, V CC =18V
IXDD604 only, V CC =18V
-
V CC =18V, V IN =3.5V
V CC =18V, V IN =0V
V CC =18V, V IN =V CC
Symbol
V IH
V IL
I IN
V ENH
V ENL
V OH
V OL
R OH
R OL
I DC
t r
t f
t ondly
t offdly
t ENOH
t DOLD
R EN
I CC
Minimum
3.0
-
-
2/3V CC
-
V CC -0.025
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Typical
-
-
-
-
-
-
-
1.3
1.1
-
9
8
29
35
35
40
200
1
<1
<1
Maximum
-
0.8
±10
-
1/3V CC
-
0.025
2.5
2
±1
16
14
50
50
55
55
-
3
10
10
Units
V
? A
V
V
?
A
ns
k ?
mA
? A
1.6 Electrical Characteristics: -40°C < T A < +125°C
Test Conditions: 4.5V < V CC < 35V, one channel (unless otherwise noted).
Parameter
Input Voltage, High
Input Voltage, Low
Input Current
Output Voltage, High
Output Voltage, Low
Output Resistance, High State
Output Resistance, Low State
Output Current, Continuous
Rise Time
Fall Time
On-Time Propagation Delay
Off-Time Propagation Delay
Enable to Output-High Delay Time
Disable to High Impedance State Delay Time
Power Supply Current
Conditions
4.5V < V CC < 18V
4.5V < V CC < 18V
0V < V IN < V CC
-
-
V CC =18V, I OUT =-10mA
V CC =18V, I OUT =10mA
Limited by package power
dissipation
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
IXDD604 only, V CC =18V
IXDD604 only, V CC =18V
V CC =18V, V IN =3.5V
V CC =18V, V IN =0V
V CC =18V, V IN =V CC
Symbol
V IH
V IL
I IN
V OH
V OL
R OH
R OL
I DC
t r
t f
t ondly
t offdly
t ENOH
t DOLD
I CC
Minimum
3.1
-
-10
V CC -0.025
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Maximum
-
0.65
10
-
0.025
3
2.5
±1
16
14
65
65
65
65
3.5
150
150
Units
V
? A
V
?
A
ns
mA
? A
4
www.ixysic.com
R05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LT1579IGN-5#TRPBF | IC LDO REG SMART DUAL 5V 16SSOP |
| GEM12DTAN-S189 | CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD |
| IXDI604SIA | IC GATE DVR 4A INV 8-SOIC |
| LB2012T100K | INDUCTOR WOUND 10UH 120MA 0805 |
| LT1579IGN#TRPBF | IC LDO REG SMART DUAL ADJ 16SSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDD604SI | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDD604SIA | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDD604SIATR | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDD604SITR | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDD609CI | 功能描述:IC GATE DVR 9A DUAL HS TO220-5 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端，独立 输入类型:非反相 延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。