- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17585 > IXDD609SITR (IXYS Integrated Circuits Division)IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXDD609SITR |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC |
| 标准包装： | 2,000 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 40ns |
| 电流 - 峰： | 9A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.5 Electrical Characteristics: T A = 25°C
Test Conditions: 4.5V < V CC < 35V (unless otherwise noted).
IXD_609
Parameter
Input Voltage, High
Input Voltage, Low
Input Current
EN Input Voltage, High
EN Input Voltage, Low
Output Voltage, High
Output Voltage, Low
Output Resistance, High State
Output Resistance, Low State
Output Current, Continuous
Rise Time
Fall Time
On-Time Propagation Delay
Off-Time Propagation Delay
Enable to Output-High Delay Time
(IXDD609 Only)
Disable to High Impedance State Delay Time
(IXDD609 Only)
Enable Pull-Up Resistor
Power Supply Current
Conditions
4.5V < V CC < 18V
4.5V < V CC < 18V
0V < V IN < V CC
IXDD609 only
IXDD609 only
-
-
V CC =18V, I OUT =-100mA
V CC =18V, I OUT =100mA
Limited by package power
dissipation
V CC =18V, C LOAD =10nF
V CC =18V, C LOAD =10nF
V CC =18V, C LOAD =10nF
V CC =18V, C LOAD =10nF
V CC =18V
V CC =18V
-
V CC =18V, V IN =3.5V
V CC =18V, V IN =0V
V CC =18V, V IN =V CC
Symbol
V IH
V IL
I IN
V ENH
V ENL
V OH
V OL
R OH
R OL
I DC
t r
t f
t ondly
t offdly
t ENOH
t DOLD
R EN
I CC
Minimum
3.0
-
-
2/3V CC
-
V CC -0.025
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Typical
-
-
-
-
-
-
-
0.6
0.4
-
22
15
40
42
25
35
200
1
<1
<1
Maximum
-
0.8
±10
-
1/3V CC
-
0.025
1
0.8
±2
35
25
60
60
60
60
-
2
10
10
Units
V
? A
V
V
?
A
ns
k ?
mA
? A
1.6 Electrical Characteristics: T A = - 40°C to +125°C
Test Conditions: 4.5V < V CC < 35V unless otherwise noted.
Parameter
Input Voltage, High
Input Voltage, Low
Input Current
Output Voltage, High
Output Voltage, Low
Output Resistance, High State
Output Resistance, Low State
Output Current, Continuous
Rise Time
Fall Time
On-Time Propagation Delay
Off-Time Propagation Delay
Enable to Output-High Delay Time
Disable to High Impedance State Delay Time
Power Supply Current
Conditions
4.5V < V CC < 18V
4.5V < V CC < 18V
0V < V IN < V CC
-
-
V CC =18V, I OUT =-100mA
V CC =18V, I OUT =100mA
Limited by package power
dissipation
V CC =18V, C LOAD =10nF
V CC =18V, C LOAD =10nF
V CC =18V, C LOAD =10nF
V CC =18V, C LOAD =10nF
IXDD609 only, V CC =18V
IXDD609 only, V CC =18V
V CC =18V, V IN =3.5V
V CC =18V, V IN =0V
V CC =18V, V IN =V CC
Symbol
V IH
V IL
I IN
V OH
V OL
R OH
R OL
I DC
t r
t f
t ondly
t offdly
t ENOH
t DOLD
I CC
Minimum
3.3
-
-
V CC -0.025
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Maximum
-
0.65
±10
-
0.025
2
1.5
±1
40
30
75
75
75
75
2.5
150
150
Units
V
? A
V
?
A
ns
mA
? A
4
www.ixysic.com
R05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3345P-1-253 | TRIMMER 25K OHM 1W TH |
| R7010604XXUA | RECTIFIER 600V 450A |
| 3345P-1-252 | TRIMMER 2.5K OHM 1W TH |
| 3345P-1-251 | TRIMMER 250 OHM 1W TH |
| R7010405XXUA | RECTIFIER 400V 550A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDD609YI | 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV TO263-5 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IXDD614CI | 功能描述:MOSFET N-CH 14A LO SIDE TO-220-5 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端，独立 输入类型:非反相 延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) |
| IXDD614D2TR | 功能描述:14A 5LEAD TO-263 NON INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IXDD614PI | 功能描述:MOSFET DVR ULT FAST 14A 8-DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端，独立 输入类型:非反相 延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) |
| IXDD614SI | 功能描述:14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。