参数资料
型号: IXDD614CI
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 7/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 14A LO SIDE TO-220-5
标准包装: 50
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 50ns
电流 - 峰: 14A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-5
供应商设备封装: TO-220-5
包装: 管件
其它名称: CLA356
IXDD614CI-ND
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
3 Block Diagrams & Truth Tables
3.1 IXDD614
I N
V CC
3.3 IXDN614
IXD_614
V CC
E N
OUT
G N D
I N
OUT
G N D
IN
0
1
x
EN
1 or open
1 or open
0
OUT
0
1
Z
IN
0
1
OUT
0
1
3.2 IXDI614
V CC
I N
IN
0
1
OUT
1
0
OUT
G N D
R05
www.ixysic.com
7
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PDF描述
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IXDD614SI 功能描述:14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063
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