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参数资料
| 型号： | IXDE514D1T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER 14A 6-DFN |
| 标准包装： | 1,000 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 20ns |
| 电流 - 峰： | 14A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 30 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VFDFN |
| 供应商设备封装： | 6-DFN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXDD514 / IXDE514
Figure 4 - Timing Diagrams
Non-Inverting (IXDD514) Timing Diagram
5V
90%
INPUT 2.5V
10%
0V
PW MIN
t ONDLY
t R
t OFFDLY
t F
Vcc
90%
OUTPUT
10%
0V
Inverting (IXDE514) Timing Diagram
5V
90%
INPUT 2.5V
10%
0V
PW MIN
t ONDLY
t F
t OFFDLY
t R
VCC
90%
OUTPUT
10%
0V
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1485BZC12 | WIREWAY 12" TRNSPSTN CNTR CLCKWS |
| 1485B4N | WIREWAY 45 DEG STEEL 2.5X2.5" GR |
| EBT156-15B2X | CONN EDGEBOARD SINGLE 15POS 5A |
| EBM12DCTI-S288 | CONN EDGECARD 24POS .156 EXTEND |
| IXDE509SIAT/R | IC GATE DRIVER 9A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDE514PI | 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDE514SIA | 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDE514SIAT/R | 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDF402PI | 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps 40V 3 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDF402SI | 功能描述:功率驱动器IC 40V 2A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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