参数资料
型号: IXDF602D2TR
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 8/13页
文件大小: 0K
描述: 2A MOSFET 8 DFN DUAL INV/NON-INV
标准包装: 2,000
配置: 低端
输入类型: 反相和非反相
延迟时间: 35ns
电流 - 峰: 2A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-DFN-EP(5x4)
包装: 带卷 (TR)
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
IXD_602
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
200
150
100
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
f=1kHz
(V CC =8V)
300
250
200
150
100
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
f=1kHz
(V CC =12V)
200
150
100
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
f=1kHz
(V CC =18V)
50
50
50
0
0
0
100
1000
10000
100
1000
10000
100
1000
10000
Load Capacitance (pF)
Load Capacitance (pF)
Load Capacitance (pF)
400
350
300
250
200
150
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
(V CC =35V)
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
f=1kHz
1000
100
10
1
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
(V CC =8V)
C L =4.7nF
C L =1nF
C L =470pF
1000
100
10
1
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
(V CC =12V)
C L =4.7nF
C L =1nF
C L =470pF
100
50
0.1
0.1
0
100
1000
Load Capacitance (pF)
10000
0.01
0.1
1
10 100
Frequency (kHz)
1000
10000
0.01
0.1
1
10 100
Frequency (kHz)
1000
10000
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
Quiescent Supply Current
vs. Temperature
1000
100
C L =4.7nF
C L =1nF
C L =470pF
(V CC =18V)
1000
100
C L =4.7nF
C L =1nF
C L =470pF
(V CC =35V)
3.0
2.5
2.0
V I N =3.5 V
(V CC =18V)
10
10
1.5
V I N =5 V
1
0.1
0.01
1
0.1
0.01
1.0
0.5
0.0
V I N =10 V
V I N =0 V & 1 8V
0.1
1
10 100
1000
10000
0.1
1
10 100
1000
10000
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
Frequency (kHz)
Dynamic Supply Current
vs. Temperature
Frequency (kHz)
Output Source Current
vs. Supply Volta g e
Temperature (oC)
Output Sink Current
vs. Supply Volta g e
1.2
(V IN =0-5V, V CC =18V, C L =1nF, f=1kHz)
- 8
(C L =27nF)
8
(C L =27nF)
1.1
1.0
0.9
0. 8
0.7
0.6
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
0
5
10
15 20 25 30
35
40
0
5
10
15 20 25 30
35
40
8
Temperature (oC)
Supply Volta g e (V)
www.ixysic.com
Supply Volta g e (V)
R05
相关PDF资料
PDF描述
1N4595R RECTIFIER STUD 1200V 150A DO-8
3269X-1-204LF TRIMMER 200K OHM 0.25W SMD
TC4627MJA IC CMOS DRVR W/BOOST 1.5A 8-CDIP
1N4595 RECTIFIER STUD 1200V 150A DO-8
3269X-1-253LF TRIMMER 25K OHM 0.25W SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDF602PI 功能描述:2A MOSFET 8 DIP DUAL INV/NON-INV RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IXDF602SI 功能描述:2A 8SOIC EXP MTL DUAL IN/NON-INV RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IXDF602SIA 功能描述:MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:半桥 输入类型:PWM 延迟时间:25ns 电流 - 峰:1.6A 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大(自引导启动):118V 电源电压:9 V ~ 14 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M
IXDF602SIATR 功能描述:2A 8 SOIC DUAL INV/NON-INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IXDF602SITR 功能描述:2A 8SOIC EXP MTL DUAL IN/NON-INV RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件