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参数资料
| 型号： | IXDF602PI |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | 2A MOSFET 8 DIP DUAL INV/NON-INV |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
IXD_602
2-Ampere Dual Low-Side
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
Features
? 2A Peak Source/Sink Drive Current
? Wide Operating Voltage Range: 4.5V to 35V
? -40°C to +125°C Extended Operating Temperature
Range
? Logic Input Withstands Negative Swing of up to 5V
? Outputs May be Connected in Parallel for Higher
Drive Current
? Matched Rise and Fall Times
? Low Propagation Delay Time
? Low 10 ? A Supply Current
? Low Output Impedance
Applications
Ultrafast MOSFET Drivers
Description
The IXDF602/IXDI602/IXDN602 dual high-speed gate
drivers are especially well suited for driving the latest
IXYS MOSFETs and IGBTs. Each of the two outputs
can source and sink 2A of peak current while
producing voltage rise and fall times of less than 10ns.
The input of each driver is CMOS compatible, and is
virtually immune to latch up. Proprietary circuitry
eliminates cross conduction and current
“shoot-through.” Low propagation delay and fast,
matched rise and fall times make the IXD_602 family
ideal for high-frequency and high-power applications.
The IXDN602 is configured as a dual non-inverting
?
?
?
?
?
?
Efficient Power MOSFET and IGBT Switching
Switch Mode Power Supplies
Motor Controls
DC to DC Converters
Class-D Switching Amplifiers
Pulse Transformer Driver
driver, the IXDI602 is configured as a dual inverting
driver, and the IXDF602 has one inverting and one
non-inverting driver.
The IXD_602 family is available in a standard 8-pin
DIP (PI), an 8-pin SOIC (SIA), an 8-pin Power SOIC
with an exposed metal back (SI), and an 8-pin DFN
Pb
Ordering Information
e 3
(D2) package.
Part Number
IXDF602D2TR
Logic
Configuration
Package Type
8-Pin DFN
Packing
Method
Tape & Reel
Quantity
2000
IXDF602PI
I N A
A
OUTA
8-Pin DIP
Tube
50
IXDF602SI
IXDF602SITR
8-Pin Power SOIC with Exposed Metal Back
8-Pin Power SOIC with Exposed Metal Back
Tube
Tape & Reel
100
2000
IXDF602SIA
I N B
B
OUTB
8-Pin SOIC
Tube
100
IXDF602SIATR
IXDI602D2TR
8-Pin SOIC
8-Pin DFN
Tape & Reel
Tape & Reel
2000
2000
IXDI602PI
I N A
A
OUTA
8-Pin DIP
Tube
50
IXDI602SI
IXDI602SITR
8-Pin Power SOIC with Exposed Metal Back
8-Pin Power SOIC with Exposed Metal Back
Tube
Tape & Reel
100
2000
IXDI602SIA
I N B
B
OUTB
8-Pin SOIC
Tube
100
IXDI602SIATR
IXDN602D2TR
8-Pin SOIC
8-Pin DFN
Tape & Reel
Tape & Reel
2000
2000
IXDN602PI
I N A
A
OUTA
8-Pin DIP
Tube
50
IXDN602SI
IXDN602SITR
8-Pin Power SOIC with Exposed Metal Back
8-Pin Power SOIC with Exposed Metal Back
Tube
Tape & Reel
100
2000
IXDN602SIA
I N B
B
OUTB
8-Pin SOIC
Tube
100
IXDN602SIATR
DS-IXD_602-R05
8-Pin SOIC
www.ixysic.com
Tape & Reel
2000
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDN602D2TR | IC GATE DVR 2A DUAL HS 8DFN |
| 3269P-1-105G | TRIMMER 1M OHM 0.25W SMD |
| T95V475K016ESSL | CAP TANT 4.7UF 16V 10% 1410 |
| A170RPB | RECTIFIER SIL 1200V 100A DO-8 |
| GLC65A | PWR SPLY TRIPLE 5,12,-12V 65 W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDF602SI | 功能描述:2A 8SOIC EXP MTL DUAL IN/NON-INV RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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| IXDF602SIATR | 功能描述:2A 8 SOIC DUAL INV/NON-INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IXDF602SITR | 功能描述:2A 8SOIC EXP MTL DUAL IN/NON-INV RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IXDF604PI | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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