参数资料
型号: IXDF602SI
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 5/13页
文件大小: 0K
描述: 2A 8SOIC EXP MTL DUAL IN/NON-INV
标准包装: 100
配置: 低端
输入类型: 反相和非反相
延迟时间: 35ns
电流 - 峰: 2A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
供应商设备封装: 8-SOIC-EP
包装: 管件
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.7 Thermal Characteristics
IXD_602
Package
Parameter
Symbol
Rating
Units
IXDD602D2 (8-Pin DFN)
35
IXD_602PI (8-Pin DIP)
IXD_602SI (8-Pin Power SOIC)
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
? JA
125
85
°C/W
IXD_602SIA (8-Pin SOIC)
120
IXD_602SI (8-Pin Power SOIC)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
? JC
10
°C/W
2 IXD_602 Performance
2.1 Timing Diagrams
V IH
V IH
I N x
V IL
I N x
V IL
t ondly
t offdly
t offdly
t ondly
90%
OUTx
10%
OUTx
90%
10%
t r
t f
t f
t r
Non-Inverting Driver Waveforms
2.2 Characteristics Test Diagram
+
Inverting Driver Waveforms
V CC
0.1 μ F
10 μ F
V CC
-
I N A
OUTA
I N B
G N D
OUTB
C LOAD
Tektronix
C u rrent Pro b e
6302
V I N
Tektronix
C LOAD
C u rrent Pro b e
6302
R05
www.ixysic.com
5
相关PDF资料
PDF描述
GPC225-15G POWER SUPPLY SWITCHER 225W 12V
ABMM-10.000MHZ-B2-T CRYSTAL 10.000MHZ 18PF SMD
MIC4422AZM IC DRIVER MOSFET 9A LS 8-SOIC
IPR5SAD2104 SWITCH PUSH SPDT 0.5A 48V
A180RPD RECTIFIER SIL 1400V 150A DO-8
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDF602SIA 功能描述:MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:半桥 输入类型:PWM 延迟时间:25ns 电流 - 峰:1.6A 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大(自引导启动):118V 电源电压:9 V ~ 14 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M
IXDF602SIATR 功能描述:2A 8 SOIC DUAL INV/NON-INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IXDF602SITR 功能描述:2A 8SOIC EXP MTL DUAL IN/NON-INV RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IXDF604PI 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDF604SI 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube