参数资料
型号: IXDF604PI
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 9/13页
文件大小: 0K
描述: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8DIP
标准包装: 50
配置: 低端
输入类型: 反相和非反相
延迟时间: 29ns
电流 - 峰: 4A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
Output Source Current
vs. Temperature
Output Sink Current
vs. Temperature
IXD_604
6
5
4
3
2
(V CC =18V, C L =10nF)
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
(V CC =18V, C L =10nF)
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
Temperature (oC)
Hi g h State Output Resistance
vs. Supply Volta g e
Temperature (oC)
Low State Output Resistance
vs. Supply Volta g e
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
(I OUT = -10mA)
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
(I OUT = +10mA)
0
5
10 15 20 25
30
35
0
5
10 15 20 25
30
35
Supply Volta g e (V)
Supply Volta g e (V)
R05
www.ixysic.com
9
相关PDF资料
PDF描述
FOXLF160 CRYSTAL 16.0 MHZ SERIES
IPR3PAD6 SWITCH PUSH SPST-NO 0.5A 48V
FOXLF100-20 CRYSTAL 10.0 MHZ 20PF
A170PE RECTIFIER SIL 1500V 100A DO-8
IPR3PAD5 SWITCH PUSH SPST-NO 0.5A 48V
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDF604SI 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDF604SIA 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDF604SIATR 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDF604SITR 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDH20N120 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube