- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17165 > IXDF604SIA (IXYS Integrated Circuits Division)IC GATE DVR 4A DIFF 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXDF604SIA |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DVR 4A DIFF 8-SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 29ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | CLA359 |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
5.4.3 Tape & Reel Information for SI and SIA Packages
330.2 DIA.
(13.00 DIA.)
IXD_604
Top Co v er
Tape Thickness
0.102 MAX.
(0.004 MAX.)
B 0 =5.30
(0.209)
W =12.00
(0.472)
K 0 = 2.10
(0.0 8 3)
A 0 =6.50
(0.256)
P= 8 .00
(0.315)
Em b ossed Carrier
User Direction of Feed
Dimensions
mm
(inches)
5.4.4 PI (8-Pin DIP)
Em b ossment
NOTE: Tape dimensions not sho w n comply w ith JEDEC Standard EIA-4 8 1-2
2.540 ± 0.127
(0.100 ± 0.005)
2.540 ± 0.127
(0.100 ± 0.005)
6.350 ± 0.127
(0.250 ± 0.005)
9.652 ± 0.3 8 1
(0.3 8 0 ± 0.015)
7.620 ± 0.254
(0.300 ± 0.010)
9.144 ± 0.50 8
(0.360 ± 0.020)
PCB Hole Pattern
8 -0. 8 00 DIA.
( 8 -0.031 DIA.)
6.350 ± 0.127
(0.250 ± 0.005)
Pin 1
0.457 ± 0.076
(0.01 8 ± 0.003)
4.064 TYP
(0.160)
3.302 ± 0.051
(0.130 ± 0.002)
7.239 TYP.
(0.2 8 5)
0.254 ± 0.0127
(0.010 ± 0.0005)
7.620 ± 0.127
(0.300 ± 0.005)
7.620 ± 0.127
(0.300 ± 0.005)
Dimensions
0. 8 13 ± 0.102
(0.032 ± 0.004)
mm
(inches)
12
www.ixysic.com
R05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GCM18DRMH-S288 | CONN EDGECARD 36POS .156 EXTEND |
| LB2012T680K | INDUCTOR WOUND 68UH 50MA 0805 |
| LT1579IGN-3.3#TRPBF | IC LDO REG SMART DUAL3.3V 16SSOP |
| GCM18DRMD-S288 | CONN EDGECARD 36POS .156 EXTEND |
| LTC1558CGN-3.3#TRPBF | IC BACKUP BATT CNTRLR3.3V 16SSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDF604SIATR | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDF604SITR | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDH20N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDH20N120AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247AD |
| IXDH20N120D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。