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参数资料
| 型号： | IXDI509PI |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER SGL 9A 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 18ns |
| 电流 - 峰： | 9A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 30 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
IXDI509 / IXDN509
Pin Description
PIN
1, 8
2
6, 7
SYMBOL
V CC
IN
OUT
FUNCTION
Supply Voltage
Input
Output
DESCRIPTION
Power supply input voltage. These pins provide power to the
entire device. The range for this voltage is 4.5V to 30V.
Input drive signal, TTL or CMOS compatible.
Driver output. For application purposes, these pins are
connected, through a resistor, to the gate of a MOSFET/IGBT.
The device ground pins. Internally connected to all circuitry,
4, 6
GND
Ground
these pins provide ground reference for the entire chip and
should be connected to a low noise analog ground plane for
optimum performance.
CAUTION: Follow proper ESD procedures when handling and assembling this component.
Pin Configurations
8 PIN DIP (PI)
8 PIN SOIC (SIA)
8 PIN DIP (PI)
8 PIN SOIC (SIA)
V CC
IN
1
2
I
X
D
8
7
V CC
OUT
V CC
IN
1
2
I
X
D
8
7
V CC
OUT
I
N
N/C
GND
3
4
5
0
9
6
5
OUT
GND
N/C
GND
3
4
5
0
9
6
5
OUT
GND
6 LEAD DFN (D1)
(Bottom View)
6 LEAD DFN (D1)
(Bottom View)
V CC
6
I
X
1 IN
V CC
6
I
X
1 IN
D
D
OUT
5
I
2 N/C
OUT
5
N
2 N/C
5
5
GND
4
0
9
3 GND
GND
4
0
9
3 GND
NOTE: Solder tabs on bottom of DFN packages are grounded
Figure 3 - Characteristics Test Diagram
5.0V
Vcc
15nF
0V
10uF
25V
5
LOAD
0V
IXDI414
IXDI509
Vcc
0V
IXDN414
IXDN509
Agilent 1147A
Current Probe
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| POE31U-240 | ADAPTER POE INJECTOR 30W 24V |
| VI-BN1-CX-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 12V 75W |
| R0.25D-1205 | CONV DC/DC 0.25W 12VIN +/-5V OUT |
| IXDI509D1T/R | IC GATE DRIVER SGL 9A 6-DFN |
| VI-BN1-CW-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDI509SIA | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDI509SIAT/R | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDI514 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:14 Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
| IXDI514D1 | 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 35V 1 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDI514D1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 40V 1.0 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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