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参数资料
| 型号： | IXDI602SIA |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | CLA354 IXDI602SIA-ND |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1 Specifications
1.1 Pin Configurations
IXDF602
1.2 Pin Definitions
IXD_602
N C
1
8
N C
Pin Name
Description
I N A
G N D
I N B
2
3
4
A
B
7
6
5
OUTA
V CC
OUTB
INA
INB
OUTA
Channel A Logic Input
Channel B Logic Input
Channel A Output - Sources or sinks current to
OUTA
turn-on or turn-off a discrete MOSFET or IGBT
IXDI602
OUTB
OUTB
Channel B Output - Sources or sinks current to
turn on or turn off a discrete MOSFET or IGBT
N C
1
8
N C
I N A
G N D
I N B
2
3
4
A
B
7
6
5
OUTA
V CC
OUTB
V CC
GND
Supply Voltage - Provides power to the device
Ground - Common ground reference for the
device
IXDN602
N C
1
8
N C
I N A
G N D
I N B
2
3
4
A
B
7
6
5
OUTA
V CC
OUTB
1.3 Absolute Maximum Ratings
Parameter
Supply Voltage
Input Voltage
Output Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V CC
V IN
I OUT
T J
T STG
Minimum
-0.3
-5.0
-
-55
-65
Maximum
40
V CC +0.3
±2
+150
+150
Units
V
V
A
°C
°C
Unless otherwise specified, absolute maximum electrical ratings are at 25°C
Absolute maximum ratings are stress ratings. Stresses in excess of these ratings can cause permanent damage to the device.
Functional operation of the device at conditions beyond those indicated in the operational sections of this data sheet is not
implied.
1.4 Recommended Operating Conditions
Parameter
Supply Voltage
Operating Temperature Range
R05
Symbol
V CC
T A
www.ixysic.com
Range
4.5 to 35
-40 to +125
Units
V
°C
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDF602SIA | MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO |
| MIC4427ZM | IC MOSFET DVR DUAL 1.5A 8-SOIC |
| MIC4421ZN | IC DRIVER MOSFET 9A LS 8-DIP |
| TC426MJA | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8CDIP |
| R0.25S8-243.3-R | CONV DC/DC 0.25W 24V IN 3.3V OUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDI602SIATR | 功能描述:2A 8 SOIC DUAL INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IXDI602SITR | 功能描述:2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IXDI604PI | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDI604SI | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDI604SIA | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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