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参数资料
| 型号： | IXDI602SIATR |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | 2A 8 SOIC DUAL INVERTING |
| 标准包装： | 2,000 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
5.4 Mechanical Dimensions
5.4.1 SIA (8-Pin SOIC)
IXD_602
Pin 8
5.994 ± 0.254
(0.236 ± 0.010)
1.270 REF
(0.050)
3.937 ± 0.254
(0.155 ± 0.010)
0.762 ± 0.254
(0.030 ± 0.010)
PCB Land Pattern
0.60
(0.024)
Pin 1
0.406 ± 0.076
(0.016 ± 0.003)
5.40
(0.213)
1.55
(0.061)
4.92 8 ± 0.254
(0.194 ± 0.010)
0.559 ± 0.254
(0.022 ± 0.010)
1.346 ± 0.076
(0.053 ± 0.003)
0.051 MI N - 0.254 MAX
(0.002 MI N - 0.010 MAX)
1.27
(0.050)
Dimensions
mm
(inches)
5.4.2 SI (8-Pin Power SOIC with Exposed Metal Back)
3. 8 0
(0.150)
5.994 ± 0.254
(0.236 ± 0.010)
3.937 ± 0.254
(0.155 ± 0.010)
0.762 ± 0.254
(0.030 ± 0.010)
5.40 2.75
(0.209) (0.10 8 )
1.55
(0.061)
Pin 1
0.406 ± 0.076
(0.016 ± 0.003)
1.270 REF
(0.050)
1.27
(0.050)
0.60
(0.024)
4.92 8 ± 0.254
(0.194 ± 0.010)
1.346 ± 0.076
(0.053 ± 0.003)
Recommended PCB Land Pattern
2.540 ± 0.254
(0.100 ± 0.010)
7o
0.051 MI N - 0.254 MAX
Dimensions
(0.002 MI N - 0.010 MAX)
3.556 ± 0.254
(0.140 ±0.010)
mm
(inches)
Note: The exposed metal pad on the back of the SI package should be connected to GND. It is not suitable for
carrying current.
R05
www.ixysic.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3269P-1-100G | TRIMMER 10 OHM 0.25W SMD |
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| B32923C3155M | CAP FILM 1.5UF 310VAC RADIAL |
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| 3269X-1-105LF | TRIMMER 1M OHM 0.25W SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXDI604SI | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDI604SIA | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDI604SIATR | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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