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参数资料
| 型号： | IXDI602SITR |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT |
| 标准包装： | 2,000 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
5.4.3 Tape & Reel Information for SI and SIA Packages
330.2 DIA.
(13.00 DIA.)
IXD_602
Top Co v er
Tape Thickness
0.102 MAX.
(0.004 MAX.)
B 0 =5.30
(0.209)
W =12.00
(0.472)
K 0 = 2.10
(0.0 8 3)
A 0 =6.50
(0.256)
P= 8 .00
(0.315)
Em b ossed Carrier
User Direction of Feed
Dimensions
mm
(inches)
5.4.4 PI (8-Pin DIP)
Em b ossment
NOTE: Tape dimensions not sho w n comply w ith JEDEC Standard EIA-4 8 1-2
2.540 ± 0.127
(0.100 ± 0.005)
2.540 ± 0.127
(0.100 ± 0.005)
6.350 ± 0.127
(0.250 ± 0.005)
9.652 ± 0.3 8 1
(0.3 8 0 ± 0.015)
7.620 ± 0.254
(0.300 ± 0.010)
9.144 ± 0.50 8
(0.360 ± 0.020)
PCB Hole Pattern
8 -0. 8 00 DIA.
( 8 -0.031 DIA.)
6.350 ± 0.127
(0.250 ± 0.005)
Pin 1
0.457 ± 0.076
(0.01 8 ± 0.003)
4.064 TYP
(0.160)
3.302 ± 0.051
(0.130 ± 0.002)
7.239 TYP.
(0.2 8 5)
0.254 ± 0.0127
(0.010 ± 0.0005)
7.620 ± 0.127
(0.300 ± 0.005)
7.620 ± 0.127
(0.300 ± 0.005)
Dimensions
0. 8 13 ± 0.102
(0.032 ± 0.004)
mm
(inches)
12
www.ixysic.com
R05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3266W-1-101 | TRIMMER 100 OHM 0.25W TH |
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| 3266W-1-200 | TRIMMER 20 OHM 0.25W TH |
| MIC4225YM TR | IC MOSFET DVR DUAL-INV 4A 8SOIC |
| IXDF602SITR | 2A 8SOIC EXP MTL DUAL IN/NON-INV |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDI604PI | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDI604SI | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDI604SIA | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDI604SIATR | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDI604SITR | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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