- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录336 > IXDI609YI (IXYS Integrated Circuits Division)IC GATE DVR 9A DUAL HS TO263-5 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXDI609YI |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DVR 9A DUAL HS TO263-5 |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 40ns |
| 电流 - 峰： | 9A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA |
| 供应商设备封装： | TO-263-5 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | CLA377 IXDI609YI-ND |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
IXD_609
Supply Current vs. Load Capacitance
Supply Current vs. Load Capacitance
Supply Current vs. Load Capacitance
500
400
300
200
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
f=1kHz
(V CC =18V)
300
250
200
150
100
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
f=1kHz
(V CC =12V)
200
150
100
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
f=1kHz
(V CC =8V)
100
0
50
0
50
0
1000
10000
1000
10000
1000
10000
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
1000
100
C L =10nF
C L =5.4nF
C L =1.5nF
(V CC =18V)
1000
100
C L =10nF
C L =5.4nF
C L =1.5nF
(V CC =12V)
1000
100
C L =10nF
C L =5.4nF
C L =1.5nF
(V CC =8V)
10
10
10
1
1
1
0.1
0.1
1
10
100 1000
10000
0.1
1
10
100 1000
10000
0.01
1
10
100 1000
10000
Frequency (kHz)
Quiescent Supply Current
Frequency (kHz)
Dynamic Supply Current
vs. Temperature
Frequency (kHz)
1.4
1.2
1.0
vs. Temperature
V I N =3.5 V
V I N =5 V
V I N =10 V
0.65
0.60
0.55
(V IN =5V, V CC =18V, f=1kHz, C L =1.5nF)
0. 8
0.50
0.6
0.4
0.2
0.45
0.40
0.0
V I N =0 V & 1 8V
0.35
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
Temperature (oC)
Output Source Current
vs. Supply Volta g e
Temperature (oC)
Output Sink Current
vs. Supply Volta g e
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
(f=422Hz, C L =66nF)
30
25
20
15
10
5
0
(f=422Hz, C L =66nF)
0
5
10 15 20 25
30
35
0
5
10 15 20 25
30
35
Supply Volta g e (V)
Supply Volta g e (V)
8
www.ixysic.com
R05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDN402SIA | IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC |
| IXDN414YI | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 5-TO-263 |
| IXDN509D1T/R | IC GATE DRIVER SGL 9A 6-DFN |
| IXDN514SIAT/R | IC GATE DRIVER SGL 14A 8-SOIC |
| IXDN602PI | MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDI614CI | 功能描述:14A 5 PIN TO-220 INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
| IXDI614PI | 功能描述:14A 8 PIN DIP INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IXDI614SI | 功能描述:14A 8LEAD SOIC EXP MTL INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
| IXDI614SITR | 功能描述:14A 8LEAD SOIC EXP MTL INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
| IXDI614YI | 功能描述:14A 5 LEAD TO-263 INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。