参数资料
型号: IXDN404SI
厂商: IXYS
文件页数: 4/11页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 8-SOIC
标准包装: 94
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 36ns
电流 - 峰: 4A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
配用: EVDN404-ND - BOARD EVALUATION IXDN404
IXDN404 / IXDI404 / IXDF404
Electrical Characteristics
Unless otherwise noted, temperature over -55 o C to 150 o C, 4.5V ≤ V CC ≤ 35V .
All voltage measurements with respect to GND. Device configured as described in Test Conditions . All specifications are for one channel.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
V IH
V IL
High input voltage
Low input voltage
4.5V ≤ V CC ≤ 18V
4.5V ≤ V CC ≤ 18V
2.4
0.8
V
V
V IN
Input voltage range
-5
V CC + 0.3
V
I IN
Input current
0V ≤ V IN ≤ V CC
-10
10
μ A
V OH
V OL
High output voltage
Low output voltage
V CC - 0.025
0.025
V
V
R OH
Output resistance
V CC = 18V
3.4
?
@ Output High
R OL
Output resistance
V CC = 18V
2
?
@ Output Low
I PEAK
I DC
Peak output current
Continuous output
V CC = 18V
3.2
1
A
A
current
t R
t F
t ONDLY
Rise time
Fall time
On-time propagation
C L =1000pF Vcc=18V
C L =1000pF Vcc=18V
C L =1000pF Vcc=18V
11
13
60
ns
ns
ns
delay
t OFFDLY
Off-time propagation
C L =1000pF Vcc=18V
59
ns
delay
V CC
I CC
Power supply voltage
Power supply current
V IN = 3.5V
V IN = 0V
4.5
18
1
0
35
3
10
V
mA
μ A
Specifications Subject To Change Without Notice
V IN = + V CC
4
10
μ A
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参数描述
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