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参数资料
| 型号： | IXDN409SI |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
| 中文描述： | 9 A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 |
| 封装： | 0.150 INCH, SOIC-8 |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 259K |
| 代理商： | IXDN409SI |
6
IXDD409PI / 409SI / 409YI / 409CI IXDI409PI / 409SI / 409YI / 409CI
IXDN409PI / 409SI / 409YI / 409CI
Fig. 15
Fig. 16
Fig. 17
Fig. 18
Fig. 19
Fig. 20
Propagation Delay vs. Supply Voltage
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
Supply Voltage (V)
P
Tondly (DD409, DN409)
Toffdly (D409)
Toffdly(DD409, DN409)
Tondly (D409)
Propagation Delay vs. Input Voltage
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Input Voltage (V)
P
Tondly (DD409, DN409)
Toffdly (DI409)
Toffdly (DD409, DN409)
Tondly (DI409)
Propagation Delay Tmes vs. Junction Temperature
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
-40
-20
0
25
40
60
85
Temperature (C)
T
Tondly (DD409, DN409)
Toffdly (DI409)
Toffdly (DD409, DN409)
Tondly (DI409)
Quiescent Supply Current vs. Junction Temperature
Vcc=18v Vin=5v@1kHz
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
-40
-20
0
25
40
60
85
Temperature (C)
Q
Vcc vs. P Channel Peak Output Current
CL = 10 nF
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
22.5
25
Vcc (V)
P
Vcc vs. NChannel Peak Output Current
CL=10 nF
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
22.5
25
Vcc (V)
N
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDN409YI | 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
| IXDD409CI | 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
| IXDD409PI | 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
| IXDD409SI | 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
| IXDD409YI | 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN409SIA | 功能描述:功率驱动器IC 9.0 Amps 40 V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN409YI | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN414CI | 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 40V 1 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN414CM | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:14 Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
| IXDN414PI | 功能描述:功率驱动器IC 14 Amps 40V 1 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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