参数资料
型号: IXDN409YI
厂商: IXYS
文件页数: 4/10页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5
标准包装: 50
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 36ns
电流 - 峰: 9A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA
供应商设备封装: TO-263-5
包装: 管件
配用: EVDN409-ND - BOARD EVALUATION IXDN409
IXDD409PI / 409SI / 409YI / 409CI IXDI409PI / 409SI / 409YI / 409CI
IXDN409PI / 409SI / 409YI / 409CI
Typical Performance Characteristics
Fig. 3
40
Rise Times vs. Supply Voltage
Fig. 4
30
Fall Times vs. Supply Voltage
35
25
30
25
20
15
10
5
0
11900 pF
8900 pF
5860 pF
2950 pF
1500 pF
20
15
10
5
0
11900 pF
8900 pF
5860 pF
2950 pF
1500 pF
8
9
10
11
12 13 14 15
16
17
18
8
9
10
11
12 13 14 15
16
17
18
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
Fig. 5
12
Rise And Fall Times vs. Temperature
CL=2500pF, Vcc=18V
Fig. 6
35
Rise Time vs. Load Capacitance
8V
10
8
6
4
2
Rise time
Fall time
30
25
20
15
10
10V
12V
14V
16V
18V
0
-40
-20
0
25 40
60
85
5
1.35
2.7
5.4
8.1
10.8
Temperature
Load Capacitance
Fig. 7
Fall Time vs. Load Capacitance
Fig. 8
Max / Min Input vs. Temperature
25
23
21
19
17
15
8V
10V
12V
14V
16V
18V
3.5
3 Maximum Input High
2.5
2
13
11
9
7
1.5
1
0.5
Minimum Input Low
5
1.35
2.7
5.4 8.1
Load Capacitance (nF)
10.8
0
-40
-20
0
25 40
Temperature
60
85
4
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