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参数资料
| 型号： | IXDN414YI |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 5-TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 30ns |
| 电流 - 峰： | 14A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | EVDN414-ND - BOARD EVALUATION IXDN414 |
IXDN414PI / N414CI / N414YI / N414SI
IXDI414PI / I414CI / I414YI / I414SI
Fig. 17
Propagation Delay vs. Supply Voltage
Fig. 18 Propagation Delay vs. Input Voltage
50
40
t OFFDLY
C L =15nF V IN =5V@1kHz
50
40
C L =15nF V CC =15V
30
t ONDLY
30
t ONDLY
20
10
0
20
10
0
t OFFDLY
8
10
12
14
16
18
2
4
6
8
10
12
Supply Voltage (V)
Input Voltage (V)
Fig. 19
50
45
40
35
30
25
Propagation Delay vs. Case Temperature
C L = 2500pF, V CC = 18V
t ONDLY
t OFFDLY
Fig. 20 Quiescent Supply Current vs. Case Temperature
V CC =18V V IN =5V@1kHz
0.60
0.58
0.56
0.54
20
0.52
15
10
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0.50
-40
-20
0
20
40
60
80
Temperature (°C)
Temperature ( o C)
Fig. 21
16
P Channel Output Current vs. Case Temperature
V CC =18V C L =.1uF
Fig. 22 N Channel Output Current vs. Case Temperature
V CC =18V C L =.1uF
17
15
16
14
15
13
12
14
-40
-20
0
20
40
60
80
100
-40
-20
0
20
40
60
80
100
Temperature ( o C)
7
Temperature ( o C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDN509D1T/R | IC GATE DRIVER SGL 9A 6-DFN |
| IXDN514SIAT/R | IC GATE DRIVER SGL 14A 8-SOIC |
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| IXDN630CI | IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN414YM | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:14 Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
| IXDN430 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver |
| IXDN430CI | 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps 40V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN430MCI | 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps 40V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN430MYI | 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps 40V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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