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参数资料
| 型号： | IXDN509D1T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER SGL 9A 6-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 18ns |
| 电流 - 峰： | 9A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 30 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VFDFN |
| 供应商设备封装： | 6-DFN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IXDN509D1DKR |
IXDI509 / IXDN509
Typical Performance Characteristics
Fig. 5
35
Rise Time vs. Supply Voltage
35
Fig. 6
Fall Time vs. Supply Voltage
30
25
20
15
10
10000pF
5400pF
30
25
20
15
10
10000pF
5400pF
5
1000pF
5
1000pF
0
100pF
0
100pF
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10
15
20
25
30
35
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
Fig. 7
Rise / Fall Time vs. Temperature
Fig. 8
8
V SUPPLY = 15V C LOAD = 1000pF
35
Rise Time vs. Capacitive Load
7
6
30
5V
5
4
3
25
20
15
15V
30V
2
1
0
10
5
0
-50
0
50
100
150
100
1000
10000
Fig. 9
35
Temperature (C)
Fall Time vs. Capacitive Load
Load Capacitance (pF)
Fig. 10
Input Threshold Levels vs. Supply Voltage
2.5
30
25
20
15
5V
15V
30V
2
1.5
Positive going input
Negative going input
1
10
0.5
5
0
0
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
35
Load Capacitance (pF)
7
Supply Voltage (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDN514SIAT/R | IC GATE DRIVER SGL 14A 8-SOIC |
| IXDN602PI | MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI |
| IXDN630CI | IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO220 |
| IXDS430SI | IC DRVR MOSF/IGBT 30A 28-SOIC |
| IXS839S1T/R | IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN509PI | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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| IXDN50N120AU1 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT with Diode(Short Circuit SOA Capability) |
| IXDN514 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:14 Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
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