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参数资料
| 型号： | IXDN514D1T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER SGL 14A 6-DFN |
| 标准包装： | 1,000 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 30ns |
| 电流 - 峰： | 14A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 30 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VFDFN |
| 供应商设备封装： | 6-DFN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXDI514 / IXDN514
Absolute Maximum Ratings (1)
Operating Ratings (2)
Parameter
Value
Parameter
Value
Supply Voltage
All Other Pins
Junction Temperature
Storage Temperature
Lead Temperature (10 Sec)
35 V
-0.3 V to V CC + 0.3V
150 ° C
-65 ° C to 150 ° C
300 ° C
Operating Supply Voltage 4.5V to 30V
Operating Temperature Range -55 ° C to 125 ° C
Package Thermal Resistance *
8-PinPDIP (PI) θ J-A (typ) 125 ° C/W
8-Pin SOIC (SIA) θ J-A (typ) 200 ° C/W
6-Lead DFN (D1) θ J-A (typ) 125-200 ° C/W
6-Lead DFN (D1) θ J-C (max) 1.5 ° C/W
6-Lead DFN (D1) θ J-S (typ) 5.8 ° C/W
Electrical Characteristics @ T A = 25 o C (3)
Unless otherwise noted, 4.5V ≤ V CC ≤ 30V .
All voltage measurements with respect to GND. IXD_514 configured as described in Test Conditions .
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ (4)
Max
Units
V IH
V IL
High input voltage
Low input voltage
4.5V ≤ V CC ≤ 18V
4.5V ≤ V CC ≤ 18V
2.5
1.0
V
V
V IN
Input voltage range
-5
V CC + 0.3
V
I IN
Input current
0V ≤ V IN ≤ V CC
-10
10
μ A
V OH
V OL
High output voltage
Low output voltage
V CC - 0.025
0.025
V
V
R OH
Output resistance
I OUT = 10mA, V CC = 18V
600
1000
m ?
@ Output high
R OL
Output resistance
I OUT = 10mA, V CC = 18V
600
1000
m ?
@ Output Low
I PEAK
I DC
Peak output current
Continuous output
V CC is 18V
Limited by package power
14
4
A
A
current
dissipation
t R
t F
t ONDLY
Rise time
Fall time
On-time propagation
C L =15nF Vcc=18V
C L =15nF Vcc=18V
C L =15nF Vcc=18V
23
21
29
25
22
30
40
50
30
ns
ns
ns
delay
t OFFDLY
Off-time propagation
C L =15nF Vcc=18V
29
31
50
ns
delay
V CC
I CC
Power supply voltage
Power supply current
V IN = 3.5V
V IN = 0V
4.5
18
1
0
30
3
10
V
mA
μ A
V IN = + V CC
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
3
10
μ A
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