参数资料
型号: IXDN602D2TR
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 4/13页
文件大小: 0K
描述: IC GATE DVR 2A DUAL HS 8DFN
标准包装: 2,000
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 35ns
电流 - 峰: 2A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-DFN-EP(5x4)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: IXDNI602D2TR
IXDNI602D2TR-ND
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.5 Electrical Characteristics: T A = 25°C
Test Conditions: 4.5V < V CC < 35V, one channel (unless otherwise noted).
IXD_602
Parameter
Input Voltage, High
Input Voltage, Low
Input Current
Output Voltage, High
Output Voltage, Low
Output Resistance, High State
Output Resistance, Low State
Output Current, Continuous
Rise Time
Fall Time
On-Time Propagation Delay
Off-Time Propagation Delay
Power Supply Current
Conditions
4.5V < V CC < 18V
4.5V < V CC < 18V
0V < V IN < V CC
-
-
V CC =18V, I OUT =-10mA
V CC =18V, I OUT =10mA
Limited by package power
dissipation
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, V IN =3.5V
V CC =18V, V IN =0V
V CC =18V, V IN =V CC
Symbol
V IH
V IL
I IN
V OH
V OL
R OH
R OL
I DC
t r
t f
t ondly
t offdly
I CC
Minimum
3.0
-
-
V CC -0.025
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Typical
-
-
-
-
-
2.5
1.5
-
7.5
6.5
35
38
1
<1
<1
Maximum
-
0.8
±10
-
0.025
4
3
±1
15
15
60
60
3
10
10
Units
V
? A
V
?
A
ns
mA
? A
1.6 Electrical Characteristics: T A = - 40°C to +125°C
Test Conditions: 4.5V < V CC < 35V, one channel (unless otherwise noted).
Parameter
Input Voltage, High
Input Voltage, Low
Input Current
Output Voltage, High
Output Voltage, Low
Output Resistance, High State
Output Resistance, Low State
Output Current, Continuous
Rise Time
Fall Time
On-Time Propagation Delay
Off-Time Propagation Delay
Power Supply Current
Conditions
4.5V < V CC < 18V
4.5V < V CC < 18V
0V < V IN < V CC
-
-
V CC =18V, I OUT =-10mA
V CC =18V, I OUT =10mA
Limited by package power
dissipation
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, C LOAD =1000pF
V CC =18V, V IN =3.5V
V CC =18V, V IN =0V
V CC =18V, V IN =V CC
Symbol
V IH
V IL
I IN
V OH
V OL
R OH
R OL
I DC
t r
t f
t ondly
t offdly
I CC
Minimum
3.3
-
-10
V CC -0.025
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Maximum
-
0.65
10
-
0.025
6
5
±1
18
18
75
75
3.5
150
150
Units
V
? A
V
?
A
ns
mA
? A
4
www.ixysic.com
R05
相关PDF资料
PDF描述
3269P-1-105G TRIMMER 1M OHM 0.25W SMD
T95V475K016ESSL CAP TANT 4.7UF 16V 10% 1410
A170RPB RECTIFIER SIL 1200V 100A DO-8
GLC65A PWR SPLY TRIPLE 5,12,-12V 65 W
3269P-1-104G TRIMMER 100K OHM 0.25W SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDN602PI 功能描述:MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端,独立 输入类型:非反相 延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF)
IXDN602SI 功能描述:MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:半桥 输入类型:PWM 延迟时间:25ns 电流 - 峰:1.6A 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大(自引导启动):118V 电源电压:9 V ~ 14 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M
IXDN602SIA 功能描述:DUAL LOW SIDE MOSFET DRIVER RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端,独立 输入类型:非反相 延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF)
IXDN602SIATR 功能描述:2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IXDN602SITR 功能描述:2A 8SOIC EXP MTL DUAL NON INVERT RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件