参数资料
型号: IXDN602SI
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 7/13页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
标准包装: 100
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 35ns
电流 - 峰: 2A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
供应商设备封装: 8-SOIC-EP
包装: 管件
其它名称: CLA352
IXDN602SI-ND
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
4 Typical Performance Characteristics
IXD_602
120
Rise Time vs. Supply Volta g e
(V IN =0-5V, f=10kHz, T A =25oC)
120
Fall Time vs. Supply Volta g e
(V IN =0-5V, f=10kHz, T A =25oC)
12
Rise & Fall Time vs. Temperature
(V IN =0-5V, V CC =18V, C L =1nF)
11
100
8 0
60
C L =4.7nF
C L =1nF
C L =470pF
100
8 0
60
C L =4.7nF
C L =1nF
C L =470pF
10
9
8
7
t r
t f
40
20
40
20
6
5
0
0
5
10
15 20 25 30
35
40
0
0
5
10
15 20 25 30
35
40
4
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
Supply Volta g e (V)
Rise Time vs. Load Capacitance
120
Supply Volta g e (V)
120
Fall Time vs. Load Capacitance
Temperature (oC)
100
8 0
60
40
20
V CC =4.5 V
V CC = 8V
V CC =12 V
V CC =1 8V
V CC =25 V
V CC =30 V
V CC =35 V
100
8 0
60
40
20
V CC =4.5 V
V CC = 8V
V CC =12 V
V CC =1 8V
V CC =25 V
V CC =30 V
V CC =35 V
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
0
1000 2000 3000 4000
5000
Load Capacitance (pF)
Load Capacitance (pF)
Propa g ation Delay vs. Supply Volta g e
Propa g ation Delay vs. Input Volta g e
Propa g ation Delay vs. Temperature
200
150
(V IN =0-5V, C L =1nF, f=1kHz)
70
60
50
(V CC =18V, C L =1nF)
55
50
45
40
(V CC =18V, C L =1nF)
t offdly
t ondly
100
50
t ondly
t offdly
40
30
t offdly
t ondly
35
30
25
0
0
5
10
15 20 25 30
35
40
20
0
5
10 15
20
20
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
Supply Volta g e (V)
Input Threshold vs. Temperature
Input Volta g e (V)
Temperature (oC)
2. 8
2.6
(V CC =18V, C L =1nF)
3.5
3.0
Input Threshold vs. Supply Volta g e
Min V IH
2.4
2.5
Min V IH
2.2
2.0
1. 8
Max V IL
2.0
1.5
1.0
Max V IL
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
0
5
10
15 20 25 30
35
40
Temperature (oC)
Supply Volta g e (V)
R05
www.ixysic.com
7
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IXDN604PI 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN604SI 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube