参数资料
型号: IXDN604PI
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 8/13页
文件大小: 0K
描述: IC GATE DVR 4A DUAL NONINV 8DIP
标准包装: 50
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 29ns
电流 - 峰: 4A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm),6 引线
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
产品目录页面: 2629 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: CLA335
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
IXD_604
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
1000
100
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
(V CC =35V)
400
350
300
250
200
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=2MHz
(V CC =18V)
400
350
300
250
200
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
(V CC =12V)
10
1
150
100
50
0
150
100
50
0
100
1000
10000
100
1000
10000
100
1000
10000
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
350
300
250
200
150
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
(V CC =8V)
1000
100
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
(V CC =35V)
1000
100
10
(V CC =18V)
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
100
50
0
10
1
1
0.1
100
1000
10000
1
10
100 1000
10000
1
10
100 1000
10000
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
Frequency (kHz)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
Frequency (kHz)
Quiesent Supply Current
vs. Temperature
1000
100
(V CC =12V)
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
1000
100
(V CC =8V)
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
3.0
2.5
(V CC =18V)
V I N =3.5 V
V I N =5 V
V I N =10 V
2.0
10
10
1.5
1
0.1
0.01
1
0.1
0.01
1.0
0.5
0.0
V I N =0 V & 1 8V
1
10 100
1000
1
10
100 1000
10000
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
Frequency (kHz)
Dynamic Supply Current
vs. Temperature
Frequency (kHz)
Output Source Current
vs. Supply Volta g e
Temperature (oC)
Output Sink Current
vs. Supply Volta g e
1.4
(V CC =18V, V IN =5V, f=1khz, C L =1nF)
-10
(C L =10nF)
10
(C L =10nF)
1.2
1.0
0. 8
0.6
0.4
0.2
0.0
- 8
-6
-4
-2
0
8
6
4
2
0
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
0
5
10 15 20 25
30
35
0
5
10 15 20 25
30
35
8
Temperature (oC)
Supply Volta g e (V)
www.ixysic.com
Supply Volta g e (V)
R05
相关PDF资料
PDF描述
GCM18DRSH-S288 CONN EDGECARD 36POS .156 EXTEND
ASPI-1367-3R3M-T INDUCTOR SHIELD 3.3UH 20% SMD
LT1579IGN-3#TRPBF IC LDO REG SMART DUAL 3V 16SSOP
LT1579CGN#TRPBF IC LDO REG SMART DUAL ADJ 16SSOP
ECC10DRXI-S734 CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDN604SI 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN604SIA 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN604SIATR 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN604SITR 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN609CI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV TO220-5 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063