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参数资料
| 型号： | IXDN604SI |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DVR 4A DUAL NONINV 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 29ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2629 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | CLA336 |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
IXD_604
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
1000
100
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
(V CC =35V)
400
350
300
250
200
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=2MHz
(V CC =18V)
400
350
300
250
200
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
(V CC =12V)
10
1
150
100
50
0
150
100
50
0
100
1000
10000
100
1000
10000
100
1000
10000
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
350
300
250
200
150
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
(V CC =8V)
1000
100
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
(V CC =35V)
1000
100
10
(V CC =18V)
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
100
50
0
10
1
1
0.1
100
1000
10000
1
10
100 1000
10000
1
10
100 1000
10000
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
Frequency (kHz)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
Frequency (kHz)
Quiesent Supply Current
vs. Temperature
1000
100
(V CC =12V)
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
1000
100
(V CC =8V)
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
3.0
2.5
(V CC =18V)
V I N =3.5 V
V I N =5 V
V I N =10 V
2.0
10
10
1.5
1
0.1
0.01
1
0.1
0.01
1.0
0.5
0.0
V I N =0 V & 1 8V
1
10 100
1000
1
10
100 1000
10000
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
Frequency (kHz)
Dynamic Supply Current
vs. Temperature
Frequency (kHz)
Output Source Current
vs. Supply Volta g e
Temperature (oC)
Output Sink Current
vs. Supply Volta g e
1.4
(V CC =18V, V IN =5V, f=1khz, C L =1nF)
-10
(C L =10nF)
10
(C L =10nF)
1.2
1.0
0. 8
0.6
0.4
0.2
0.0
- 8
-6
-4
-2
0
8
6
4
2
0
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
0
5
10 15 20 25
30
35
0
5
10 15 20 25
30
35
8
Temperature (oC)
Supply Volta g e (V)
www.ixysic.com
Supply Volta g e (V)
R05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V375C48C75B3 | CONVERTER MOD DC/DC 48V 75W |
| RBC05DREI-S734 | CONN EDGECARD 10POS .100 EYELET |
| 0210490766 | CABLE JUMPER 1.25MM .030M 9POS |
| IXDD604SI | IC GATE DVR 4A DUAL ENABLE 8SOIC |
| 0210490138 | CABLE JUMPER 1.25MM .203M 8POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN604SIA | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN604SIATR | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN604SITR | 功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN609CI | 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV TO220-5 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
| IXDN609PI | 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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