参数资料
型号: IXDN609SI
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 13/14页
文件大小: 0K
描述: IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC
标准包装: 100
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 40ns
电流 - 峰: 9A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
供应商设备封装: 8-SOIC-EP
包装: 管件
其它名称: CLA364
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
5.4.5 PI (8-Pin DIP)
IXD_609
2.540 ± 0.127
(0.100 ± 0.005)
2.540 ± 0.127
(0.100 ± 0.005)
6.350 ± 0.127
(0.250 ± 0.005)
9.652 ± 0.3 8 1
(0.3 8 0 ± 0.015)
7.620 ± 0.254
(0.300 ± 0.010)
9.144 ± 0.50 8
(0.360 ± 0.020)
PCB Hole Pattern
8 -0. 8 00 DIA.
( 8 -0.031 DIA.)
6.350 ± 0.127
(0.250 ± 0.005)
Pin 1
0.457 ± 0.076
(0.01 8 ± 0.003)
4.064 TYP
(0.160)
3.302 ± 0.051
(0.130 ± 0.002)
7.239 TYP.
(0.2 8 5)
0.254 ± 0.0127
(0.010 ± 0.0005)
7.620 ± 0.127
(0.300 ± 0.005)
7.620 ± 0.127
(0.300 ± 0.005)
Dimensions
0. 8 13 ± 0.102
(0.032 ± 0.004)
5.4.6 CI (5-Pin TO-220)
1.14 / 1.40
mm
(inches)
9.91 / 10.54
(0.390 / 0.415)
(0.045 / 0.055)
4.32 / 4. 8 3
(0.170 / 0.190)
7. 8 23
12.3 8 7
(0.30 8 )
14.73 / 15.75
(0.4 8 7)
11.94 / 12.95
(0.470 / 0.510)
(0.5 8 0 / 0.620)
8 .64 / 9.40
(0.340 / 0.370)
3
6.299
(0.24 8 )
1 2 3 4 5
6.502
(0.256)
25.27 / 26.54
(0.995 / 1.045)
0.64 / 1.02
(0.025 / 0.040)
DIME N SIO N S
mm MI N / mm MAX
(inches MI N / inches / MAX)
0.3 8 / 0.64
1.70 BSC
(0.015 / 0.025)
(0.067 BSC)
2.29 / 2.92
7.620
(0.300)
12.70 / 14.73
(0.50 / 0.5 8 )
N OTES:
1. This dra w ing w ill meet all dimensions req u irement of
JEDEC o u tlines TS-001AA and 5-lead v ersion TO-220AB.
2. Mo u nting hole diameter: 3.53 / 3.96 (0.139 / 0.156)
3. The metal ta b is connected to pin 3 (G N D).
(0.090 / 0.115)
Recommended Hole Pattern
Finished Hole Diameter = 1.45mm (0.057 in.)
1.70mm (0.067 in.)
R05
www.ixysic.com
13
相关PDF资料
PDF描述
22R103MC IND 10UH 2.52A DRUM 7.8X7.5 SMD
ECC12DREH CONN EDGECARD 24POS .100 EYELET
EBC22DCSH CONN EDGECARD 44POS DIP .100 SLD
V375C36C75BG CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
ABM02DSAN CONN EDGECARD 4POS R/A .156 SLD
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDN609SIA 功能描述:功率驱动器IC 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN609SIATR 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IXDN609SITR 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IXDN609YI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV TO263-5 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063
IXDN614CI 功能描述:14A 5PIN TO-220 NON INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端,独立 输入类型:非反相 延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF)