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参数资料
| 型号： | IXDN609SIA |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 40ns |
| 电流 - 峰： | 9A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1 Specifications
1.1 Pin Configurations
IXDD609 D2 / PI / SI / SIA
IXDD609 CI / YI
1.2 Pin Definitions
IXD_609
Pin Name
Description
V CC
1
8
V CC
V CC
1
I N
E N
G N D
2
3
4
7
6
5
OUT
OUT
G N D
OUT
G N D
I N
E N
2
3
4
5
IN
EN
Logic Input
Output Enable - Drive pin low to disable output,
and force output to a high impedance state
IXDI609 PI / SI / SIA
IXDI609 CI / YI
OUT
Output - Sources or sinks current to turn-on or
turn-off a discrete MOSFET or IGBT
V CC
I N
N C
G N D
1
2
3
4
8
7
6
5
V CC
OUT
OUT
G N D
V CC
OUT
G N D
I N
N C
1
2
3
4
5
OUT
V CC
GND
Inverted Output - Sources or sinks current to
turn-on or turn-off a discrete MOSFET or IGBT
Supply Voltage - Provides power to the device
Ground - Common ground reference for the
device
IXDN609 PI / SI / SIA
IXDN609 CI / YI
NC
Not connected
V CC
I N
1
2
8
7
V CC
OUT
V CC
OUT
1
2
G N D
3
N C
G N D
3
4
6
5
OUT
G N D
I N
N C
4
5
1.3 Absolute Maximum Ratings
Parameter
Supply Voltage
Input Voltage
Output Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V CC
V IN , V EN
I OUT
T J
T STG
Minimum
-0.3
-5
-
-55
-65
Maximum
40
V CC +0.3
±9
+150
+150
Units
V
V
A
°C
°C
Unless stated otherwise, absolute maximum electrical ratings are at 25°C
Absolute maximum ratings are stress ratings. Stresses in excess of these ratings can cause permanent damage to the device.
Functional operation of the device at conditions beyond those indicated in the operational sections of this data sheet is not
implied.
1.4 Recommended Operating Conditions
Parameter
Supply Voltage
Operating Temperature Range
R05
Symbol
V CC
T A
www.ixysic.com
Range
4.5 to 35
-40 to +125
Units
V
°C
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R1S8-2409 | CONV DC/DC 1W 24VIN 09VOUT |
| UB215SKG036CF | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
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| ABM3C-32.000MHZ-D4Y-T | CRYSTAL 32.000 MHZ 18PF SMD |
| GPFC160-12G | PWR SPLY PFC 160W 12V 11.7A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN609SIATR | 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IXDN609SITR | 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IXDN609YI | 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV TO263-5 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
| IXDN614CI | 功能描述:14A 5PIN TO-220 NON INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端，独立 输入类型:非反相 延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) |
| IXDN614PI | 功能描述:14A 8 PIN DIP NON INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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