| 型号: | IXDP631PI |
| 厂商: | IXYS |
| 文件页数: | 1/7页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | IC GENERATOR DGTL DEADTIME 8PDIP |
| 标准包装: | 21 |
| 应用: | PWM 电机控制器 |
| 接口: | 微处理器 |
| 电源电压: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 封装/外壳: | 18-DIP(0.300",7.62mm) |
| 供应商设备封装: | 18-DIP |
| 包装: | 管件 |
| 安装类型: | 通孔 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JLC1562BFG | IC I/O EXPANDER I2C 8B 16SOEIAJ |
| KMC68EN302AG25BT | IC MPU QUICC 25MHZ 144-LQFP |
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| KMC7448VU1267ND | IC MPU RISC 32BIT 360-FCCBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDR30N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDR30N120D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDR35N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDR502D1B | 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDS430 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver |