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参数资料
| 型号： | IXFA102N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 102A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 455W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXFA102N15T IXFH102N15T
IXFP102N15T
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-220 (IXFP) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V DS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 3.3 Ω (External)
50
80
5220
685
95
20
14
25
22
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Q g(on)
Q gs
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 25A
87
23
nC
nC
Pins:
1 - Gate
2 - Drain
Q gd
R thJC
31
nC
0.33 ° C/W
R thCH
(TO-220)
(TO-247)
0.50
0.21
° C/W
° C/W
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
V GS = 0V
102
A
I SM
V SD
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = 100A, V GS = 0V, Note 1
400
1.3
A
V
TO-247 (IXFH) Outline
t rr
I RM
Q RM
I F = 51A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 75V, V GS = 0V
6.2
236
120 ns
A
nC
1
2
3
?P
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
TO-263 (IXFA) Outline
Terminals: 1 - Gate 2 - Drain
3 - Source
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
e
L
L1
? P
Q
R
S
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-LC535R-250 | OSC 250 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B32653A1662J | FILM CAP 6.6NF 5% 1600V MKP |
| HCM49-6.144MABJT | CRYSTAL 6.144 MHZ 18PF SMD |
| AML24GBA3CA05 | SWITCH ROCKER DP3T 3A 125V |
| B25JP | SW TOGGLE DPDT .4VA STRAIGHT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFA10N60P | 功能描述:MOSFET 600V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA10N80P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA110N15T2 | 功能描述:MOSFET 110Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA12N50P | 功能描述:MOSFET 500V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA130N10T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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