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参数资料
| 型号： | IXFA10N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 740 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1610pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXFA10N60P
IXFP10N60P
10
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
24
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
9
8
7
V GS = 10V
7V
6V
20
16
V GS = 10V
7V
6
5
4
3
2
1
0
5V
12
8
4
0
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
25
30
10
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 5A Value vs.
Junction Temperature
9
8
7
6
V GS = 10V
6V
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
V GS = 10V
I D = 10A
I D = 5A
5
1.4
4
3
2
1
0
5V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 5A Value vs.
Drain Current
V GS = 10V
12
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
T J = 125oC
T J = 25oC
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFA110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK |
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| IXFA130N10T2 | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA |
| IXFA130N10T | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFA10N80P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA110N15T2 | 功能描述:MOSFET 110Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA12N50P | 功能描述:MOSFET 500V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA130N10T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA130N10T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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