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参数资料
| 型号： | IXFA10N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXFA10N80P IXFH10N80P
IXFP10N80P IXFQ10N80P
TO-263 (IXFA) Outline
1.
Gate
2.
Collector
3.
Emitter
4.
Collector
Bottom
Side
TO-220 (IXFP) Outline
TO-3P (IXFQ) Outline
Dim.
A
b
b2
Millimeter
Min. Max.
4.06 4.83
0.51 0.99
1.14 1.40
Inches
Min. Max.
.160 .190
.020 .039
.045 .055
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
0.40
1.14
8.64
8.00
9.65
6.22
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.74
1.40
9.65
8.89
10.41
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.13
.016
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.005
TO-247 (IXFH) Outline
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
A 4.7 5.3
Min. Max.
.185 .209
A 1
A 2
2.2 2.54
2.2 2.6
.087 .102
.059 .098
1
2
3
? P
b 1.0 1.4
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
.040 .055
.065 .084
.113 .123
C .4 .8
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
e
L1 4.50
.177
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32923C3155M189 | FILM CAP 1.50UF 20% 305VAC RFI |
| 5248WCDB16X404 | SWITCH TOGGLE MINI |
| S1A/UC | SW TOGGLE SPST SOLDER LUG UC |
| M2026BB1W01 | SW TOGGLE SP3T THR SILV SLD LUG |
| M2012ES2G13/U | SW TOGGLE SPDT FLAT W/KEYWAY PC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFA110N15T2 | 功能描述:MOSFET 110Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA12N50P | 功能描述:MOSFET 500V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA130N10T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA130N10T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA14N60P | 功能描述:MOSFET 600V 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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