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参数资料
| 型号： | IXFA6N120P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.4 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 92nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2830pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFA6N120P
IXFP6N120P
IXFH6N120P
V DSS = 1200V
I D25 = 6A
R DS(on) ≤ 2.75 Ω
TO-263 AA (IXFA)
Fast Intrinsic Diode
G
S
D (Tab)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Maximum Ratings
1200
1200
± 30
V
V
V
TO-220AB (IXFP)
DS
V GSM
I D25
I DM
I A
E AS
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 40
6
18
3
300
V
A
A
A
mJ
G
TO-247 (IXFH)
D (Tab)
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
10
250
V/ns
W
G
D
S
D (Tab)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.062) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-220 &TO-247)
TO-263
TO-220
TO-247
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
6.0
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
g
Features
International Standard Packages
Dynamic dv/dt Rating
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Low Q G
Low R DS(on)
Low Drain-to-Tab Capacitance
Low Package Inductance
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Advantages
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
1200
2.5
V
5.0 V
± 100 nA
10 μ A
1 mA
2.75 Ω
Easy to Mount
Space Savings
Applications
DC-DC Converters
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
Uninterrupted Power Supplies
AC Motor Drives
High Speed Power Switching
Applications
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100202B(04/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B432J71AV2B2 | SWITCH ROCKER 4PDT 0.5VA 28V |
| CSA309-4.800MABJ-UB | CRYSTAL 4.800 MHZ 18PF CYL |
| CSA309-4.096MABJ-UB | CRYSTAL 4.096 MHZ 18PF CYL |
| FXO-PC738-1000 | OSC 1000 MHZ 3.3V PECL SMD |
| CSA310-4.000MABJ-UB | CRYSTAL 4.000 MHZ 18PF CYL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFA76N15T2 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
| IXFA7N100P | 功能描述:MOSFET 7 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA7N60P3 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET 600V 7A |
| IXFA7N80P | 功能描述:MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFA8N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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