- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18859 > IXFE24N100 (IXYS)MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXFE24N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 390 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFET
Single MOSFET Die
Preliminary data sheet
IXFE 24N100 1000 V 22 A
IXFE 23N100 1000 V 21 A
t rr ≤ 250 ns
0.39 ?
0.43 ?
Symbol Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 227 TM (IXFE)
S
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C, R GS = 1M ?
Continuous
Transient
1000
1000
± 20
± 30
V
V
V
V
G
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C;
T C = 25 ° C
Note 1
24N100
23N100
24N100
23N100
22
21
96
92
24
A
A
A
A
A
G = Gate
S = Source
D
D = Drain
S
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
60
3
5
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
3000
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
V~
V~
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
? Conforms to SOT-227B outline
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
M d
Mounting torque
1.5/13 Nm/lb.in.
Terminal connection torque
Weight
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
V DSS V GS = 0 V, I D = 3mA
Min.
1000
1.5/13 Nm/lb.in.
19 g
Characteristic Values
Typ. Max.
V
Applications
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8mA
3.0
5.0
V
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 20V, V GS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10V, I D = I T
Note 2
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
23N100
24N100
± 200 nA
100 μ A
2 mA
0.43 ?
0.39 ?
Advantages
? Low cost
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2002 IXYS All rights reserved
98896 (1/02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CR4450-15 | TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-15AAC IN |
| CR4450-25 | TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-25AAC IN |
| CR4410S-150 | TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-150AC IN |
| CR4410S-50 | TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-50AAC IN |
| V-15G5-1A6-K | SWITCH MINI SPDT 15A ROLLR LEVER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFE34N100 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V 0.28 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE36N100 | 功能描述:MOSFET 33 Amps 1000V 0.24 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE39N90 | 功能描述:MOSFET 34 Amps 900V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE44N50Q | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE44N50QD2 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。