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参数资料
| 型号： | IXFE48N50QD2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
V DSS
I D (cont)
R DS(on)
t rr
Power MOSFETs
IXFE44N50QD2 IXFE44N50QD3 500 V
IXFE48N50QD2 IXFE48N50QD3 500 V
39 A
41A
0.12 ? 35 ns
0.11 ? 35 ns
Buck & Boost Configurations for
PFC & Motor Control Circuits
3
3
4
2
2
4
D2
1
D3
1
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Maximum Ratings
500 V
500
V
ISOPLUS 227 TM (IXFE)
2
1
V GS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
44N50Q
48N50Q
± 20
± 30
39
41
V
V
A
A
3
4
I DM
T C = 25 ° C,
pulse width limited by max. T JM
44N50Q
48N50Q
176
192
A
A
2 = Gate
1 = Source
3 = Drain
4 = Anode/Cathode
I AR
T C = 25 ° C
48
A
E AR
E AS
dv/dt
P D
V RRM
I FAVM
I FRM
P D
T J
T JM
T stg
V ISOL
M d
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , -di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
T C = 70 ° C; rectangular, d = 0.5
tp <10 μ s; pulse width limited by T J
T C = 25 ° C
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
60 mJ
2.5 J
15 V/ns
400 W
600 V
60 A
800 A
180 W
-40 ... +150 ° C
150 ° C
-40 ... +150 ° C
2500 V~
3000 V~
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
Features
? Popular Buck & Boost circuit
topologies
? Conforms to SOT-227B outline
? Isolation voltage 3000 V~
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Low drain-to-case capacitance
(<60 pF)
- reduced RFI
? Ultra-fast FRED diode with soft
reverse recovery
Applications
? Power factor controls and buck
regulators
? DC servo and robotic drives
? DC choppers
? Switch reluctance motor controls
Weight
19
g
Advantages
? Easy to mount with 2 screws
? Space savings
? Tightly coupled FRED
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2004 IXYS All rights reserved
DS98903C(03/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTN21N100 | MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B |
| CR5310-1 | TRANSDCR VOTAGE DC 0-1VDC IN |
| 9110-18RED | PATCHCORD .025" SQ SCKT RED 18" |
| CR4420S-15 | TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-15AAC IN |
| CR4420S-0.5 | TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-0.5AC IN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFE48N50QD3 | 功能描述:MOSFET 41 Amps 500V 110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE50N50 | 功能描述:MOSFET 47 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE55N50 | 功能描述:MOSFET 52 Amps 500V 0.08 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE73N30Q | 功能描述:MOSFET 66 Amps 300V 0.046 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE80N50 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 500V 0.055 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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