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参数资料
| 型号： | IXFH120N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 120A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 714W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXFH120N20P
IXFK120N20P
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
t rr ≤
200V
120A
22m Ω
200ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
TO-247 (IXFH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
200
200
± 20
± 30
V
V
V
V
G
D
S
Tab
I D25
I LRMS
I DM
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
120
75
300
A
A
A
TO-264 (IXFK)
I A
E AS
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
60
2
714
A
J
W
G
D
S
Tab
dV/dt
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
M d
Weight
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175°C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque
TO-247
TO-264
10
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
1.13/10
6
10
V/ns
° C
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
G = Gate D = Drain
S = Source Tab = Drain
Features
International Standard Packages
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Low Q G
Low R DS(on)
Low Drain-to-Tab Capacitance
Low Package Inductance
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to Mount
Space Savings
BV DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
200
2.5
5.0
± 200
V
V
nA
Applications
DC-DC Coverters
Battery Chargers
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 150 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
25 μ A
500 μ A
22 m Ω
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
AC and DC Motor Drives
Uninterrupted Power Supplies
High Speed Power Switching
Applications
? 20109 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99223F(02/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FX425B-24.000 | CRYSTAL 24.0 MHZ 20PF SMD |
| B25838A8474M | MKV CAPACITOR 0.47UF 1100V |
| B32653A1473K | FILM CAP 47NF 10% 1600V MKP |
| B25620B1707K102 | PEC MKP DC 700 UF 1100 V |
| B25838A8224M | MKV CAPACITOR 0.22UF 1100V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH120N20P_10 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiPerFET Power MOSFET |
| IXFH120N25T | 功能描述:MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH12N100F | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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