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参数资料
型号： IXFH13N80
厂商： IXYS
文件页数： 1/4页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD
产品目录绘图： TO-247AD 3-Leads
标准包装： 30
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 13A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 800 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 155nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 4200pF @ 25V
功率 - 最大： 300W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商设备封装： TO-247AD
包装： 管件
HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
IXFH/IXFM 11 N80
IXFH/IXFM 13 N80
800 V 11 A
800 V 13 A
t rr ￡ 250 ns
0.95 W
0.80 W
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
800
800
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
(TAB)
I D25
T C = 25 ° C
11N80
11
A
I DM
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
13N80
11N80
13
44
A
A
TO-204 AA (IXFM)
13N80
52
A
I AR
T C = 25 ° C
11N80
13N80
11
13
A
A
E AR
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
30
5
300
mJ
V/ns
W
G = Gate,
S = Source,
G
D
D = Drain,
TAB = Drain
T J
T JM
-55 ... +150
150
° C
° C
Features
? International standard packages
T stg
T L
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
-55 ... +150
300
° C
° C
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
M d
Weight
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g
rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? DC-DC converters
? Synchronous rectification
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
800
2.0
4.5
± 100
250
1
V
V
nA
m A
mA
power supplies
? DC choppers
? AC motor control
? Temperature and lighting controls
? Low voltage relays
Advantages
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
R DS(on)
11N80
13N80
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
0.95
0.80
W
W
? Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
91528F(7/97)
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相关PDF资料
PDF描述
IXFK200N10P MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
XPEWHT-L1-R250-00B01 LED COOL WHITE 700MA SMD
512S2P36 CABLE STR FEMALE-MALE 2POS 3'
XMLHVW-Q0-0000-0000LT453 LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE
512P2S36 CABLE STR MALE-FEMALE 2POS 3'
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFH13N80Q 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH13N90 功能描述:MOSFET 13 Amps 900V 0.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH140N10P 功能描述:MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH14N100 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH14N100Q2 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.90 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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