- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18662 > IXFH15N80Q (IXYS)MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXFH15N80Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
IXFH 15N80Q
IXFT 15N80Q
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
=
800 V
15 A
0.60 W
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q g
t rr ￡ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
800
800
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
± 20
± 30
15
60
15
30
1.0
5
V
V
A
A
A
mJ
J
V/ns
(TAB)
TO-268 (D3) (IXFT) Case Style
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
G
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
W
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
M d
Weight
Mounting torque
TO-247
1.13/10 Nm/lb.in.
6 g
Features
TO-268
4
g
?
IXYS advanced low Q g process
?
International standard packages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
?
?
Low R DS (on)
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
V DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
800
V
? Fast switching
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
2.0
4.5
± 100
25
1
0.60
V
nA
m A
mA
W
? Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
98514B (7/00)
1-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XPEHEW-01-R250-00GF5 | LED XLAMP XPE HIEFF WHITE SMD |
| 353P3S4 | CABLE STR MALE-R/A FMALE 3POS 4M |
| XPEHEW-01-R250-00GF4 | LED XLAMP XPE HIEFF WHITE SMD |
| ISL76683AROZ-T7 | DIGITAL LIGHT SENSOR ADC 6ODFN |
| 372P2S4 | CABLE STR MALE-FEMALE 2POS 4M |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH1605 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
| IXFH1606 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
| IXFH160N15T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH160N15T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH16N120P | 功能描述:MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。