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参数资料
| 型号： | IXFH16N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFA 16N50P
IXFH 16N50P
IXFP 16N50P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 500 V
= 16 A
≤ 400 m ?
≤ 200 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
500
500
V
V
TO-263 (IXTA)
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
S
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
16
35
16
25
750
10
A
A
A
mJ
mJ
V/ns
TO-247 (IXFH)
(TAB)
T J ≤ 150 ° C, R G = 10 ?
S
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s soldering
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
W
° C
° C
° C
° C
° C
G
D
TO-220 (IXTP)
D (TAB)
M d
Mounting torque
(TO-247 & TO-220)
1.13/10 Nm/lb.in.
Weight
TO-220
TO-263
TO-247
4
3
5.5
g
g
g
G
D S
(TAB)
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Features
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
500
V
l
International standard packages
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 2.5 mA
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.5
± 100
5
250
V
nA
μ A
μ A
l
l
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Easy to mount
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
400 m ?
Advantages
l
? 2006 IXYS All rights reserved
l
l
Space savings
High power density
DS99357E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OPB482L11 | SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL |
| XRCWHT-L1-0000-00B05 | LED COOL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| IXFH52N50P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO247 |
| XRCWHT-L1-0000-00B03 | LED COOL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| OPB481T11 | SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH16N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH16N80P | 功能描述:MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH16N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFH16N90Q | 功能描述:MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH170N10P | 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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