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参数资料
| 型号： | IXFH23N80Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 23A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
F ig . 1 2 . M a x im u m T r a n s ie n t T h e r m a l R e s is t a n c e
1.00
0.10
0.01
1
10
100
1000
Pu ls e W id th - m illis e c o n d s
? 2004 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7A-14.31818MAHE-T | CRYSTAL 14.31818 MHZ 12PF SMD |
| B32656A7684J000 | CAP FILM 0.68UF 1.25KVDC RADIAL |
| B32656A0105J000 | CAP FILM 1UF 1KVDC RADIAL |
| FXO-LC736-125 | OSC 125 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B32656J2154J000 | CAP FILM 0.15UF 2KVDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH24N40 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH24N50 | 功能描述:MOSFET 500V 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH24N50Q | 功能描述:MOSFET 500V 24A Q-Class RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH24N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247SMD |
| IXFH24N80P | 功能描述:MOSFET DIODE Id24 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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