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参数资料
| 型号： | IXFH26N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 24N50Q
IXFH 26N50Q
IXFT 24N50Q
IXFT 26N50Q
12
10
8
6
V DS = 250 V
I D = 13 A
I G = 10 mA
10000
1000
Coss
Ciss
f = 1MHz
4
Crss
2
0
0
20
40
60
80
100
120
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
50
45
40
35
Gate Charge - nC
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
V DS - Volts
Fig.8 Capacitance Curves
30
25
20
15
10
5
T J = 125 O C
T J = 25 O C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V SD - Volts
Fig.9 Drain Current vs Drain to Source Voltage
1.00
D=0.5
0.10
0.01
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
Single Pulse
0.00
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
Fig.10 Transient Thermal Impedance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 16050U | CONN ASSORTMENT BOX UNINSULATED |
| IXFH40N30Q | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD |
| XPEWHT-L1-0000-00AE4 | LED NEUTRAL WHITE 700MA SMD |
| XPEWHT-L1-0000-00AE3 | LED COOLWHITE 700MA SMD |
| XPEWHT-L1-0000-008F6 | LED NEUTRAL WHITE 700MA SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH26N50SN | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
| IXFH26N55Q | 功能描述:MOSFET 26 Amps 550V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH26N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFH26N60P | 功能描述:MOSFET 600V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH26N60Q | 功能描述:MOSFET 600V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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