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参数资料
| 型号： | IXFH30N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 30N50
IXFT 30N50
IXFH 32N50
IXFT 32N50
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
Figure 2. Output Characteristics at 125 O C
80
70
60
50
T J = 25 O C
V GS =10V
9V
8V
7V
6V
60
50
40
T J = 125 O C
V GS =10V
9V
8V
7V
6V
40
30
30
20
10
5V
20
10
5V
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
2.8
V DS - Volts
Figure 3. R DS(on) normalized to 15A/25 O C vs. I D
V GS = 10V
2.8
V DS - Volts
Figure 4. R DS(on) normalized to 15A/25 O C vs. T J
V GS = 10V
2.4
2.0
1.6
Tj=125 0 C
2.4
2.0
1.6
I D = 32A
I D = 16A
Tj=25 0 C
1.2
1.2
0.8
0
10
20
30
40
50
60
0.8
25
50
75
100
125
150
40
I D - Amperes
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
50
T J - Degrees C
Figure 6. Admittance Curves
32
24
IXFH30N50
I XFH32N5 0
40
30
16
8
20
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
0
2
4
6
8
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NX1255GB-6.144000MHZ | CRYSTAL 6.144000 MHZ 12PF SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH30N50P | 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH30N50Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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