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参数资料
| 型号： | IXFH30N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 82nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 30N60P IXFT 30N60P
IXFV 30N60P IXFV 30N60PS
35
30
Fig. 7. Input Adm ittance
50
45
40
Fig. 8. Trans conductance
25
20
15
35
30
25
20
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
10
5
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
15
10
5
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
5
10
15
20
25
30
35
40
90
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
80
70
60
50
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 15A
I G = 10m A
40
30
20
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7 0.8
V S D - V olts
0.9
1
1.1
0
10
20
30
Q G
40 50 60
- nanoCoulombs
70
80
90
Fig. 11. Capacitance
Fig. 12. M axim um Tr ans ie nt The rm al
Re s is tance
10000
f = 1MH z
1.00
C iss
1000
100
10
C oss
C rs s
0.10
0.01
0
5
10
15 20 25
V D S - V olts
30
35
40
0.1
1 10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_30N60P (7J) 12-05-05-B.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B25834U7405K11 | MKV CAPACITOR 4UF AC 1000V |
| IXTT8P50 | MOSFET P-CH 500V 8A TO-268 |
| S41R | SWITCH TOGGLE 4PST FLATTED LEVER |
| B25832C6555K9 | MKV CAPACITOR 5.5UF 930V |
| IXTH36N50P | MOSFET N-CH 500V 36A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH30N60Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH320N10T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH32N50 | 功能描述:MOSFET 500V 32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH32N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH32N50Q | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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