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参数资料
| 型号： | IXFH32N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 30N50
IXFT 30N50
IXFH 32N50
IXFT 32N50
Figure 7. Gate Charge
14
Figure 8. Capacitance Curves
4500
12
10
Vds=300V
I D =30A
I G =10mA
4000
3500
3000
Ciss
F = 1MHz
8
2500
6
4
2
0
2000
1500
1000
500
0
Coss
Crss
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
25
Gate Charge - nC
Figure 9. Forward Voltage Drop of the
Intrinsic Diode
100
30
V DS - Volts
80
V GS = 0V
10
1 ms
10 ms
60
100 ms
T C = 25 C
40
T J =125 O C
1
O
DC
20
T J =25 O C
0
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
100
500
V SD - Volts
Figure 10. Transient Thermal Resistance
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
V DS - Volts
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XREWHT-L1-0000-00D09 | LED COOL WHITE 7X9MM SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH32N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH32N50Q | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH32N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-247VAR |
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| IXFH34N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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