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参数资料
| 型号： | IXFH4N100Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
IXFH 4N100Q V DSS
= 1000 V
Power MOSFETs
Q-Class
IXFT 4N100Q
I D25
R DS(on)
= 4A
= 3.0 W
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
Preliminary Data Sheet
t rr ￡ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
1000
1000
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D
S
(TAB)
I D25
T C = 25 ° C
4
A
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
16
4
20
A
A
mJ
TO-268 (D3) ( IXFT)
E AS
dv/dt
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
700
5
mJ
V/ns
G
S
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
150
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
-55 to +150
150
-55 to +150
° C
° C
° C
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
° C
M d
Weight
Mounting torque
TO-247
TO-268
1.13/10
6
4
Nm/lb.in.
g
g
Features
? IXYS advanced low Q g process
? Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? International standard packages
? Low R DS (on)
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 1.5 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
1000
3.0
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
5.0
± 100
50
1
V
V
nA
m A
mA
? Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Advantages
? Easy to mount
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
3.0
W
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
98648A (03/24/00)
1-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32537B8225K | FILM CAP 2.2UF 10% 630V |
| 5120.1307.0 | MODULE PWR ENTRY 15A 250V SCREW |
| AOCJY-10.000MHZ-E-SW | OSC OCXO 10.000MHZ 3.3V SNWV SMD |
| ABM2-20.000MHZ-KV-T | CRYSTAL 20.000 MHZ 18PF SMD |
| FXO-PC536R-40 | OSC 40 MHZ 3.3V PECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH50N20 | 功能描述:MOSFET DIODE Id50 BVdass200 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH50N20 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH50N20S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-264AA |
| IXFH50N30Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH50N50P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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