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参数资料
| 型号： | IXFH52N50P2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 52A TO247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP2™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 113nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH52N50P2
IXFT52N50P2
90
Fig. 7. Input Admittance
100
Fig. 8. Transconductance
80
70
90
80
T J = - 40oC
60
T J = 125oC
25oC
- 40oC
70
60
25oC
50
50
40
30
20
10
0
40
30
20
10
0
125oC
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
120
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 250V
100
80
60
8
7
6
5
4
I D = 26A
I G = 10mA
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.00
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
100,000
10,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
0.30
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
0.10
1,000
Coss
100
Crss
10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_52N50P2(8J-N45)03-22-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XRCWHT-L1-0000-00B03 | LED COOL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| OPB481T11 | SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL |
| FQD2N60CTM | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK |
| OPB481P11 | SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL |
| XREWHT-L1-0000-009B3 | LED NEUTRAL WHITE 7X9MM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH58N20 | 功能描述:MOSFET 200V 58A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH58N20 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH58N20Q | 功能描述:MOSFET 200V 58A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH58N20S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-247VAR |
| IXFH5N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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