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参数资料
| 型号： | IXFH69N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 69A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 69A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 49 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4960pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 69N30P
IXFT 69N30P
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
70
60
V GS = 10V
8V
7V
180
160
140
V GS = 10V
9V
8V
50
40
120
100
30
20
6V
80
60
40
7V
6V
10
0
5V
20
0
5V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D25 Value vs.
Junction Tem perature
70
60
50
40
V GS = 10V
8V
7V
3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
V GS = 10V
I D = 69A
30
20
10
6V
5V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
I D = 34.5A
0.6
0
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.8
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to I D25
Value vs. I D
70
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3.4
3
V GS = 10V
60
50
2.6
40
2.2
1.8
1.4
T J = 125oC
30
20
1
0.6
T J = 25oC
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZL39P0100 | SWITCH TOGGLE SUBMINI |
| SS22SDP2 | SW SLIDE ULTRA MINI DPDT TOP ACT |
| B32653A6564K | FILM CAP 0.56UF 10% 630V MKP |
| FVXO-LC52BR-160 | OSC 160 MHZ 2.5V LVDS SMD |
| 5249AKB3VX449 | SWITCH TOGGLE MINI |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH6N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH6N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH6N100F | 功能描述:MOSFET HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH6N100Q | 功能描述:MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH6N120 | 功能描述:MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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