参数资料
型号: IXFH70N20Q3
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 200V 70A TO-247
特色产品: Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
标准包装: 30
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 70A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 40 毫欧 @ 35A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 6.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3150pF @ 25V
功率 - 最大: 690W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
IXFT70N20Q3
IXFH70N20Q3
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1
0.1
0.01
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0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: F_70N20Q3(Q6)05-18-11
相关PDF资料
PDF描述
IXFH50N30Q3 MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
275S5S2 CABLE 5POS STR FMAL-R/A FMALE 2M
XPGWHT-L1-0000-00H50 LED COOL WHITE 1000MA SMD
XREWHT-L1-0000-00AB3 LED NEUTRAL WHITE 7X9MM SMD
XREWHT-L1-0000-00AB2 LED NEUTRAL WHITE 7X9MM SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFH70N30Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH74N20 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH74N20P 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH75N10 功能描述:MOSFET 100V 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH75N10 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247