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参数资料
| 型号： | IXFH80N085 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 80A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
IXFH 80N085
V DSS
= 85 V
I D25
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt
Preliminary data sheet
IXFT 80N085
= 80 A
R DS(on) = 9 m W
t rr ￡ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
85
85
± 20
V
V
V
V GSM
I D25
I L(RMS)
I DM
I AR
E AR
Transient
T C = 25 ° C
Lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 30
80
75
320
80
50
V
A
A
A
A
mJ
(TAB)
TO-268 (IXFT) Case Style
E AS
dv/dt
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
2.5
5
J
V/ns
G
S
(TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T L
M d
Weight
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Mounting torque
TO-247
TO-268
300
-55 to +150
150
-55 to +150
300
1.13/10
6
4
W
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
Features
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? International standard packages
? Low R DS (on)
? Rated for unclamped Inductive load
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
85
2.0
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
4.0
± 100
50
1
V
V
nA
m A
mA
switching (UIS)
? Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Advantages
? Easy to mount
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
9
m W
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
98709 (03/24/00)
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 84312LX | SWITCH ROCKER 1A 30V |
| B25834J6205K9 | MKV CAPACITOR 2UF 900V |
| F1500CB15 | FILTER HI PERFORM 15A WIRE |
| B32653A3824K | FILM CAP 0.82UF 10% 250V MKP |
| RES350 | RHEOSTAT 350 OHM 12.5W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH80N10 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 0.125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH80N10Q | 功能描述:MOSFET 100V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH80N15Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH80N20Q | 功能描述:MOSFET 200V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH80N30P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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