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参数资料
| 型号： | IXFH80N15Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22.5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode
IXFH 80N15Q
IXFK 80N15Q
IXFT 80N15Q
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 150 V
= 80 A
= 22.5 m W
￡ 200 ns
Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q g
Preliminary data sheet
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
150
150
± 20
± 30
80
320
80
V
V
V
V
A
A
A
TO-268 (D3) ( IXFT)
(TAB)
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
45
1.5
mJ
J
G
S
(TAB)
dv/dt
P D
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
5
360
V/ns
W
TO-264 AA (IXFK)
T J
T JM
T stg
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
° C
G
D
S
D (TAB)
M d
Weight
Mounting torque
TO-247
TO-264
TO-247
TO-264
TO-268
1.13/10 Nm/lb.in.
0.9/6 Nm/lb.in.
6
g
10
g
4
g
G = Gate
S = Source
Features
TAB = Drain
l
Low gate charge
Symbol
V DSS
V GS(th)
I GSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 250 uA
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
150 V
2.0 4.0 V
± 100 nA
l
l
l
l
l
l
International standard packages
Epoxy meet UL 94 V-0, flammability
classification
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Avalanche energy and current rated
Fast intrinsic Rectifier
Easy to mount
Space savings
High power density
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
25 m A
1 mA
22.5 m W
Advantages
l
l
l
? 2000 IXYS All rights reserved
98725 (05/31/00)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXFH80N20Q | 功能描述:MOSFET 200V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXFH88N20Q | 功能描述:MOSFET 88 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH88N30P | 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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