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参数资料
| 型号： | IXFH88N20Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 88A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 146nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 88N20Q IXFK 88N20Q
IXFX 88N20Q
100
Fig. 7. Input Adm ittance
100
Fig. 8. Transconductance
T J = -40oC
80
60
80
60
25oC
125oC
40
20
0
T J = -40oC
25oC
125oC
40
20
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
30
60
90
120
150
180
200
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
V DS = 100V
160
120
80
40
0
T J = 125oC
T J = 25oC
8
6
4
2
0
I D = 44A
I G = 10mA
0.4
0.55
0.7
0.85
1
1.15
1.3
0
30
60
90
120
150
10000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1M Hz
C iss
1
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
Resistance
1000
100
C oss
C rss
0.1
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - milliseconds
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| KR393AKXXA12XX | SWITCH ROCKER SPDT 10A 24V |
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| M2018Q4S1W01 | SW TOGGLE SPDT THR SILV SLD LUG |
| M2018SS4G01 | SW TOGGLE SPDT THR GOLD SLD LUG |
| IXTQ160N075T | MOSFET N-CH 75V 160A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH88N30P | 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH8N65 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH8N80 | 功能描述:MOSFET 8 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH8N80S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247SMD |
| IXFH90N20Q | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Q-CLASS |
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